發(fā)表評(píng)論
所謂半導(dǎo)體，是指導(dǎo)電性能介于金屬和絕緣體之間離子型導(dǎo)電的物質(zhì)。用它制成的半導(dǎo)體二極管、三極管和集成電路等，是許多現(xiàn)代新科技不可缺少的主要部件。世界第一塊半導(dǎo)體材料鍺單晶，早在1948年已被美國(guó)的物理學(xué)家研制出來(lái)了，而中國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)發(fā)展史的第一頁(yè)，則是由林蘭英來(lái)書寫的。
林蘭英，福建莆田人，1940年畢業(yè)于福建協(xié)和大學(xué)數(shù)學(xué)系。在留校工作8年之后，1948年赴美國(guó)留學(xué)。在獲得賓夕法尼亞大學(xué)數(shù)學(xué)學(xué)位之后，按照導(dǎo)師的意見，林蘭英是要到芝加哥大學(xué)深造數(shù)學(xué)的，然而當(dāng)她看到半導(dǎo)體科學(xué)正在興起的時(shí)候，作出了留在賓大改讀固體物理學(xué)的決定。1955年獲得博士之后，林蘭英即在紐約的索菲尼亞公司任高級(jí)工程師，當(dāng)時(shí)她從事的就是后來(lái)終生為之獻(xiàn)身的半導(dǎo)體材料研制工作。
在1956年的日內(nèi)瓦會(huì)議上，中美達(dá)成協(xié)議：中方分批釋放在朝鮮戰(zhàn)場(chǎng)被俘的美軍，而美方則允許部分留學(xué)生回中國(guó)。消息傳開，1957年春，林蘭英謝絕了公司的挽留并沖破美國(guó)有關(guān)部門的阻撓，她以母親病重為由，毅然踏上了歸國(guó)的路途。在簡(jiǎn)單的行李中，林蘭英攜帶的藥盒，里面放有兩支各150克的鍺單晶和硅單晶。這就是她獻(xiàn)給祖國(guó)母親最為珍貴的禮物。
過(guò)去在記敘上世紀(jì)50年代回國(guó)服務(wù)的華僑科學(xué)家的文章里，常常會(huì)出現(xiàn)“舍棄海外優(yōu)厚生活”的字句。其實(shí)這并非人為拔高，而是真實(shí)情況的寫照。林蘭英剛回國(guó)時(shí)的月薪為207元人民幣。這是專家、學(xué)者的待遇，當(dāng)時(shí)來(lái)說(shuō)算是比較高的。然而這大致只相當(dāng)于她在美國(guó)月工資的三十分之一而已。
林蘭英在中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和半導(dǎo)體研究所工作期間，盡管設(shè)備條件不盡人意，但她與同事們一道，很快取得了優(yōu)異的成績(jī)�；貒�(guó)半年之后，即拉制出中國(guó)第一根鍺單晶。北京電子管廠用這些鍺單晶，制造出中國(guó)第一次向市場(chǎng)銷售的半導(dǎo)體收音機(jī)。
此后，林蘭英還在半導(dǎo)體材料研制方面，創(chuàng)造過(guò)許多個(gè)中國(guó)第一。1961年，她主持設(shè)計(jì)的我國(guó)第一臺(tái)開門式硅單晶爐研制成功，由于這種爐的技術(shù)先進(jìn)，后來(lái)還遠(yuǎn)銷多個(gè)國(guó)家；1962年春，她成功拉制出我國(guó)第一根無(wú)位錯(cuò)硅單晶，其質(zhì)量達(dá)到世界先進(jìn)水平；同年10月，研制出我國(guó)第一個(gè)砷化鎵單晶樣品，為1964年我國(guó)第一只砷化鎵二極管激光器的問(wèn)世準(zhǔn)備了條件；1981年，合作完成4千位、16千位大規(guī)模集成電路——硅柵MOS隨機(jī)存儲(chǔ)器的研制，因而獲得中國(guó)科學(xué)院重大科技成果一等獎(jiǎng)；1987年，她在我國(guó)返回式衛(wèi)星上成功進(jìn)行生產(chǎn)我國(guó)第一根砷化鎵晶體實(shí)驗(yàn)，被譽(yù)為“中國(guó)太空材料之母”。
2003年林蘭英辭世，享年85歲。生前她被選為中國(guó)科學(xué)院院士，并任中國(guó)科協(xié)副主席等職。鑒于她對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體材料研制所作出的貢獻(xiàn)，1996年獲何梁何利科技進(jìn)步獎(jiǎng)，1998年獲霍英東成就獎(jiǎng)。(潭 江)
|
本評(píng)論觀點(diǎn)只代表網(wǎng)友個(gè)人觀點(diǎn)，不代表中國(guó)僑網(wǎng)立場(chǎng)。
|
